Hersteller Produktnummer:
BUK9E08-55B,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BUK9E08-55B,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 203W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12830187
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BUK9E08-55B,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
203W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
BUK9E08-55B,127-DG
NEXNXPBUK9E08-55B,127
568-5732-5
568-5732-DG
2156-BUK9E08-55B127
568-5732-5-DG
568-5732
934057717127
1727-4636
BUK9E0855B127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK4R3E06PL,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
177
TEILNUMMER
TK4R3E06PL,S1X-DG
Einheitspreis
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