CSD18503KCS
Hersteller Produktnummer:

CSD18503KCS

Product Overview

Hersteller:

National Semiconductor

Teilenummer:

CSD18503KCS-DG

Beschreibung:

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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CSD18503KCS Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3150 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
CSD18503KCS Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
362
Andere Namen
2156-CSD18503KCS
TEXNSCCSD18503KCS

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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