FQPF7N65CYDTU
Hersteller Produktnummer:

FQPF7N65CYDTU

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FQPF7N65CYDTU-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventar:

1572 Stück Neu Original Auf Lager
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FQPF7N65CYDTU Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQPF7N65C Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
366
Andere Namen
2156-FQPF7N65CYDTU
FAIFSCFQPF7N65CYDTU

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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