Hersteller Produktnummer:
FDA18N50
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDA18N50-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
1564 Stück Neu Original Auf Lager
12946683
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FDA18N50 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
239W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
169
Andere Namen
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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