Hersteller Produktnummer:
MSCSM120HRM052NG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM120HRM052NG-DG
Beschreibung:
SIC 4N-CH 1200V/700V 472A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV), 700V 472A (Tc), 442A (Tc) 1.846kW (Tc), 1.161kW (Tc) Chassis Mount
Inventar:
12961536
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MSCSM120HRM052NG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV), 700V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
472A (Tc), 442A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 240A, 20V, 4.8mOhm @ 160A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 18mA, 2.4V @ 16mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1392nC @ 20V, 860nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
18100pF @ 1000V, 18000pF @ 700V
Leistung - Max
1.846kW (Tc), 1.161kW (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM120HRM052NG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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