Hersteller Produktnummer:
SI1025X-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1025X-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
34282 Stück Neu Original Auf Lager
12962154
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SI1025X-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
23pF @ 25V
Leistung - Max
250mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89 (SOT-563F)
Basis-Produktnummer
SI1025
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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