Hersteller Produktnummer:
SI1917EDH-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1917EDH-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12962234
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SI1917EDH-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
370mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 100µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
570mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Basis-Produktnummer
SI1917
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1917EDHT1E3
SI1917EDH-T1-E3DKR
SI1917EDH-T1-E3TR
SI1917EDH-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI1965DH-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5645
TEILNUMMER
SI1965DH-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.13
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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