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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXTA20N65X2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA20N65X2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
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IXTA20N65X2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
290W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IXT(A,P,H)20N65X2 Datasheet
Building, Home Automation Appl Guide
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
238-IXTA20N65X2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6020KNJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1540
TEILNUMMER
R6020KNJTL-DG
Einheitspreis
1.47
ERSATZART
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FCB20N60FTM
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