Hersteller Produktnummer:
IXTT170N10P-TR
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTT170N10P-TR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventar:
13270731
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IXTT170N10P-TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
715W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-268
Paket / Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis-Produktnummer
IXTT170
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
238-IXTT170N10P-TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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