Hersteller Produktnummer:
IXFP18N65X2M
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFP18N65X2M-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
13270746
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IXFP18N65X2M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
290W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IXFP18
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
238-IXFP18N65X2M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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