Hersteller Produktnummer:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLS4030-7PPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventar:
12818562
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IRLS4030-7PPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11490 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK (7-Lead)
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001568682
IRLS40307PPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB039N10N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
29647
TEILNUMMER
IPB039N10N3GATMA1-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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