Hersteller Produktnummer:
IPB039N10N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB039N10N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
29647 Stück Neu Original Auf Lager
13064036
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IPB039N10N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 160µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB039
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB039N10N3 GCT-ND
SP000482428
IPB039N10N3 GTR-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3GATMA1TR
IPB039N10N3 GDKR
IPB039N10N3 G
IPB039N10N3G
IPB039N10N3 GCT
IPB039N10N3 GDKR-ND
IPB039N10N3GATMA1CT
IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3GATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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