IRF6614TR1

Hersteller Produktnummer:

IRF6614TR1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6614TR1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

Inventar:

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12818571

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IRF6614TR1 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Verpackung

-

Reihe

HEXFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

40 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

12.7A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.25V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

29 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2560 pF @ 20 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

DIRECTFET™ ST

Paket / Koffer

DirectFET™ Isometric ST

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,000

Andere Namen

SP001525534

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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