Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRF7832Z
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7832Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12805222
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7832Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3860 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRF7832Z
HTML-Datenblatt
IRF7832Z-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001554428
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF7832TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
13071
TEILNUMMER
IRF7832TRPBF-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF7862TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
16061
TEILNUMMER
IRF7862TRPBF-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SQ4182EY-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
8137
TEILNUMMER
SQ4182EY-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SI4166DY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5435
TEILNUMMER
SI4166DY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RJK0349DSP-01#J0
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
5000
TEILNUMMER
RJK0349DSP-01#J0-DG
Einheitspreis
0.58
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPP039N04LGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFH4210DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN
IPP90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
IRF7416QTRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC