Hersteller Produktnummer:
IPP90R1K2C3XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP90R1K2C3XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12805230
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IPP90R1K2C3XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 310µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP90R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000411302
IPP90R1K2C3-DG
2156-IPP90R1K2C3XKSA1
IPP90R1K2C3
SP000683096
IFEINFIPP90R1K2C3XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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