Hersteller Produktnummer:
IRF7832TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7832TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
13071 Stück Neu Original Auf Lager
12804161
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IRF7832TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.32V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4310 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
IRF7832
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF7832PBFCT
IRF7832PBFDKR
SP001570470
*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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