Hersteller Produktnummer:
IRF7422D2PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7422D2PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12806633
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7422D2PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
FETKY™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
610 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001577350
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPP034N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
SPD02N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3
IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
