Hersteller Produktnummer:
SPB02N60S5ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPB02N60S5ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
87 Stück Neu Original Auf Lager
12806637
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SPB02N60S5ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB02N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SPB02N60S5
SPB02N60S5INTR-DG
SPB02N60S5ATMA1CT
SPB02N60S5INCT
SP000012388
SPB02N60S5INTR
SPB02N60S5-DG
SPB02N60S5INDKR
SPB02N60S5ATMA1TR
SPB02N60S5XT
SPB02N60S5INCT-DG
SPB02N60S5ATMA1DKR
SPB02N60S5INDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD3N62K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3586
TEILNUMMER
STD3N62K3-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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