Hersteller Produktnummer:
IRLMS2002TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLMS2002TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Inventar:
89338 Stück Neu Original Auf Lager
12806636
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLMS2002TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1310 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro6™(SOT23-6)
Paket / Koffer
SOT-23-6
Basis-Produktnummer
IRLMS2002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
*IRLMS2002TRPBF
2156-IRLMS2002TRPBF
SP001567202
IRLMS2002PBFDKR
IRLMS2002PBFCT
IRLMS2002PBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SPB02N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
IRF8734TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IRF7807VPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO