Hersteller Produktnummer:
IRF7303TRPBFXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7303TRPBFXTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventar:
11995 Stück Neu Original Auf Lager
13000536
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IRF7303TRPBFXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
520pF @ 25V
Leistung - Max
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-8-902
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
448-IRF7303TRPBFXTMA1TR
448-IRF7303TRPBFXTMA1CT
448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR
SP005876271
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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