Hersteller Produktnummer:
IRF7341TRPBFXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7341TRPBFXTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 55V 4.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventar:
6385 Stück Neu Original Auf Lager
13000554
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7341TRPBFXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
740pF @ 25V
Leistung - Max
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-8-902
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR
SP005876277
448-IRF7341TRPBFXTMA1TR
448-IRF7341TRPBFXTMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N7002DWK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
IRF7103TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902