Hersteller Produktnummer:
IRF7103TRPBFXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7103TRPBFXTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 50V 3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventar:
4000 Stück Neu Original Auf Lager
13000567
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7103TRPBFXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain zur Quellspannung (Vdss)
50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290pF @ 25V
Leistung - Max
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-8-902
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
448-IRF7103TRPBFXTMA1DKR
448-IRF7103TRPBFXTMA1TR
SP005876269
448-IRF7103TRPBFXTMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF9956TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
DMT4015LDV-7
MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
DMN2041UVT-13
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
