IRF1407L
Hersteller Produktnummer:

IRF1407L

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF1407L-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

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12804576
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IRF1407L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRF1407L
HTML-Datenblatt
IRF1407L-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF1407L

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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