Hersteller Produktnummer:
IRFB7434PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB7434PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
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12804577
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IRFB7434PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
324 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10820 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
294W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFB7434
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001575514
2156-IRFB7434PBF
IFEINFIRFB7434PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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