Hersteller Produktnummer:
IPD78CN10NGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD78CN10NGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
14157 Stück Neu Original Auf Lager
12804581
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EINREICHEN
IPD78CN10NGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 12µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
716 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD78CN10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD78CN10NGATMA1-DG
IPD78CN10NGATMA1TR
SP001127814
IPD78CN10NGATMA1CT
2156-IPD78CN10NGATMA1
IPD78CN10NGATMA1DKR
INFINFIPD78CN10NGATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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