Hersteller Produktnummer:
IPU60R2K1CEAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU60R2K1CEAKMA1-DG
Beschreibung:
CONSUMER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12805137
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPU60R2K1CEAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU60R2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-IPU60R2K1CEAKMA1
SP001493880
INFINFIPU60R2K1CEAKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFH7182TRPBF
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
