Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRFH7182TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH7182TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 23A (Ta), 157A (Tc) 4W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12805138
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFH7182TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
FASTIRFET™, HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta), 157A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3120 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4W (Ta), 195W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRFH7182TRPBF
HTML-Datenblatt
IRFH7182TRPBF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SP001556394
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AON6290
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
7905
TEILNUMMER
AON6290-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
BSC040N10NS5ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
13720
TEILNUMMER
BSC040N10NS5ATMA1-DG
Einheitspreis
1.25
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
IRL3705NLPBF
MOSFET N-CH 55V 89A TO262