Hersteller Produktnummer:
IPI100N04S4H2AKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI100N04S4H2AKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12805141
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IPI100N04S4H2AKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 70µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI100N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI100N04S4-H2-DG
IPI100N04S4-H2
SP000711282
2156-IPI100N04S4H2AKSA1-IT
INFINFIPI100N04S4H2AKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPI90N04S402AKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
453
TEILNUMMER
IPI90N04S402AKSA1-DG
Einheitspreis
1.25
ERSATZART
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STI270N4F3
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STMicroelectronics
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Einheitspreis
2.55
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DIGI-Zertifizierung
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