Hersteller Produktnummer:
IPP039N04LGHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP039N04LGHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12803303
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IPP039N04LGHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 45µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP039N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000391494
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP039N04LGXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
459
TEILNUMMER
IPP039N04LGXKSA1-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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