Hersteller Produktnummer:
IPD80R3K3P7ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD80R3K3P7ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
12803311
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IPD80R3K3P7ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
120 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
18W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD80R3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IFEINFIPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1DKR
2156-IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1TR
IPD80R3K3P7ATMA1CT
SP001636440
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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