Hersteller Produktnummer:
IPS80R900P7AKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPS80R900P7AKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12803309
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IPS80R900P7AKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPS80R900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SP001633526
2156-IPS80R900P7AKMA1
ROCINFIPS80R900P7AKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPU80R900P7AKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1500
TEILNUMMER
IPU80R900P7AKMA1-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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