Hersteller Produktnummer:
IPL65R660E6AUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL65R660E6AUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
12801359
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IPL65R660E6AUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ E6
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-VSON-4
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
IPL65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SP000895212
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPL60R185P7AUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5980
TEILNUMMER
IPL60R185P7AUMA1-DG
Einheitspreis
1.15
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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