Hersteller Produktnummer:
BSS119NH6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
42089 Stück Neu Original Auf Lager
12801363
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BSS119NH6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
20.9 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSS119
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS119NH6327XTSA1CT
BSS119NH6327XTSA1TR
SP000870644
BSS119NH6327XTSA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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