Hersteller Produktnummer:
IPG20N06S2L65ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPG20N06S2L65ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventar:
26901 Stück Neu Original Auf Lager
12801234
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IPG20N06S2L65ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 14µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
410pF @ 25V
Leistung - Max
43W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-4
Basis-Produktnummer
IPG20N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP000613722
448-IPG20N06S2L65ATMA1TR
IPG20N06S2L65ATMA1TR-DG
448-IPG20N06S2L65ATMA1DKR
INFINFIPG20N06S2L65ATMA1
2156-IPG20N06S2L65ATMA1
448-IPG20N06S2L65ATMA1CT
IPG20N06S2L65ATMA1TR
IPG20N06S2L-65
IPG20N06S2L-65-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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