IPG20N04S412AATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPG20N04S412AATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPG20N04S412AATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 20A 41W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10

Inventar:

28559 Stück Neu Original Auf Lager
12801277
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPG20N04S412AATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 15µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1470pF @ 25V
Leistung - Max
41W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-10
Basis-Produktnummer
IPG20N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IPG20N04S412AATMA1CT
448-IPG20N04S412AATMA1TR
2156-IPG20N04S412AATMA1
IPG20N04S412AATMA1-DG
448-IPG20N04S412AATMA1DKR
SP000938098
INFINFIPG20N04S412AATMA1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPG15N06S3L-45

MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON

infineon-technologies

IPG20N04S412ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

infineon-technologies

FF8MR12W2M1B11BOMA1

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2

infineon-technologies

IRF7503TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8