FF8MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller Produktnummer:

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

FF8MR12W2M1B11BOMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 150A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2BM-2

Inventar:

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12801513
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolSiC™+
Produktstatus
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (max.) @ id
5.55V @ 60mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
372nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11000pF @ 800V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
AG-EASY2BM-2
Basis-Produktnummer
FF8MR12

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FF8MR12W2M1B11BOMA1
HTML-Datenblatt
FF8MR12W2M1B11BOMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
15
Andere Namen
SP001617622
2156-FF8MR12W2M1B11BOMA1
INFINFFF8MR12W2M1B11BOMA1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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