Hersteller Produktnummer:
IPD50R399CP
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD50R399CP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12800481
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IPD50R399CP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CP
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 330µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
890 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD50R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP000234984
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD50R399CPATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPD50R399CPATMA1-DG
Einheitspreis
0.82
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
STD13N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
8724
TEILNUMMER
STD13N60M2-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD11NM50N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STD11NM50N-DG
Einheitspreis
0.85
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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