Hersteller Produktnummer:
IPD14N06S280ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD14N06S280ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
4159 Stück Neu Original Auf Lager
12800488
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPD14N06S280ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 14µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
293 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
47W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD14N06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
INFINFIPD14N06S280ATMA2
2156-IPD14N06S280ATMA2
448-IPD14N06S280ATMA2DKR
448-IPD14N06S280ATMA2TR
SP001063642
IPD14N06S280ATMA2-DG
448-IPD14N06S280ATMA2CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
IPB034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7