Hersteller Produktnummer:
IPB60R280P6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB60R280P6ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
990 Stück Neu Original Auf Lager
12803586
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IPB60R280P6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 430µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB60R280
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB60R280P6ATMA1CT
448-IPB60R280P6ATMA1TR
IPB60R280P6ATMA1-DG
SP001364468
448-IPB60R280P6ATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB23N80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
209
TEILNUMMER
STB23N80K5-DG
Einheitspreis
2.29
ERSATZART
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Teilenummer
R6015ENJTL
HERSTELLER
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Einheitspreis
1.65
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DIGI-Zertifizierung
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