Hersteller Produktnummer:
IRF6620TR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6620TR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12803591
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IRF6620TR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.45V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4130 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6620TR1PBFDKR
IRF6620TR1PBFTR
SP001525516
IRF6620TR1PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6620TRPBF
HERSTELLER
International Rectifier
VERFÜGBARE ANZAHL
980
TEILNUMMER
IRF6620TRPBF-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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