Hersteller Produktnummer:
IMBG120R090M1HXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMBG120R090M1HXTMA1-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventar:
2681 Stück Neu Original Auf Lager
12978148
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IMBG120R090M1HXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 3.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
763 pF @ 800 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-12
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
IMBG120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IMBG120R090M1HXTMA1CT
448-IMBG120R090M1HXTMA1DKR
448-IMBG120R090M1HXTMA1TR
SP004463788
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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