Hersteller Produktnummer:
FCH043N60
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCH043N60-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
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FCH043N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12225 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
592W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
27
Andere Namen
2156-FCH043N60
ONSFSCFCH043N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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