Hersteller Produktnummer:
GT6K2P10KH
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GT6K2P10KH-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 4.3A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
15000 Stück Neu Original Auf Lager
12978151
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
GT6K2P10KH Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SGT
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
4822-GT6K2P10KHTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AUIRFB8405
AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A
FCH043N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
SIHA17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 7A TO220
