Hersteller Produktnummer:
G2K3N10H
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G2K3N10H-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 2A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
12989236
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G2K3N10H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
2.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
4822-G2K3N10HTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
G2K3N10H
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2265
TEILNUMMER
G2K3N10H-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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