Hersteller Produktnummer:
S2M0040120K
Product Overview
Hersteller:
SMC Diode Solutions
Teilenummer:
S2M0040120K-DG
Beschreibung:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-4
Inventar:
113 Stück Neu Original Auf Lager
12989246
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S2M0040120K Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
SMC Diode Solutions
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-1765-S2M0040120K
1655-S2M0040120K
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI-Zertifizierung
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