Hersteller Produktnummer:
IMT65R260M1HXUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMT65R260M1HXUMA1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventar:
1975 Stück Neu Original Auf Lager
12989249
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IMT65R260M1HXUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SP005716858
448-IMT65R260M1HXUMA1CT
448-IMT65R260M1HXUMA1TR
448-IMT65R260M1HXUMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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SIC_DISCRETE
