Hersteller Produktnummer:
G220P02D2
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G220P02D2-DG
Beschreibung:
P-20V,-8A,RD(MAX)<[email protected],VTH-
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
2990 Stück Neu Original Auf Lager
13002861
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G220P02D2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1873 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
3.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DFN (2x2)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3141-G220P02D2TR
3141-G220P02D2CT
4822-G220P02D2TR
3141-G220P02D2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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