Hersteller Produktnummer:
SSM6K819R,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6K819R,LF-DG
Beschreibung:
N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventar:
153 Stück Neu Original Auf Lager
13002887
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SSM6K819R,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25.8mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1110 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
175°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP-F
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM6K819
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-SSM6K819RLFCT
264-SSM6K819R,LFDKR-DG
264-SSM6K819RLFDKR
264-SSM6K819R,LFTR
264-SSM6K819R,LFCT-DG
264-SSM6K819RLFTR
264-SSM6K819R,LFCT
264-SSM6K819R,LFDKR
264-SSM6K819R,LFTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM6K819R,LXHF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
7420
TEILNUMMER
SSM6K819R,LXHF-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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