Hersteller Produktnummer:
RQ3L070BGTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ3L070BGTB1-DG
Beschreibung:
NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
2945 Stück Neu Original Auf Lager
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RQ3L070BGTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24.7mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
460 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RQ3L070BGTB1TR
846-RQ3L070BGTB1DKR
846-RQ3L070BGTB1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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