Hersteller Produktnummer:
DMTH8008LPSQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH8008LPSQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 91A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
2500 Stück Neu Original Auf Lager
13000839
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DMTH8008LPSQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
91A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2345 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMTH8008LPSQ-13DKR
31-DMTH8008LPSQ-13CT
31-DMTH8008LPSQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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